NE3509M04-T2-A
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설명:
FET RF 4V 2GHZ SOT-343
분류:
이산 반도체 장치
입하됩니다:
재고 중
결제 방법:
L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램
배송 방법:
LCL, 에어, FCL, 익스프레스
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET
제품 상태:
구식
전압 - 평가됩니다:
4V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
소음 지수:
0.4dB
공급자의 장치 패키지:
M04
전압 - 테스트:
2 Ｖ
Mfr:
셀
빈도:
2GHz
이득:
17.5dB
패키지 / 케이스:
SOT-343F
경향 - 테스트:
10 마
전원 - 생산:
11dBm
기술:
GaAs HJ-FET
전류 등급 (Amps):
60mA
기본 제품 번호:
NE3509
소개
RF 모스페트 2V 10mA 2GHz 17.5dB 11dBm M04
태그:
이산 반도체 장치
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주식:
In Stock
MOQ: