사양
상품 카테고리 ::
게이트 드라이버
하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩)::
600V
상승/하강 시간(일반)::
25 나노 초, 15 나노 초
논리 전압 - VIL, VIH::
0.8V, 2.5V
전압 - 공급 ::
10 V ~ 20 V
채널 유형::
동기화
@ qty ::
0
증가하는 타입 ::
표면 마운트
제조사::
1개
최소 수량 ::
216
Factory Stock ::
0
작동 온도 ::
-40' C ~ 150' C (TJ)
운전자 수 ::
2
시리즈 ::
-
공급자 소자 패키지 ::
14-soic
상태 부분 ::
구식
포장::
튜브
게이트 유형::
IGBT, 엔-채널 MOSFET
구동 설정::
하프-브리지
입력 유형::
비반전
패키지 / 케이스::
14-soic (0.154" ;3.90 밀리미터 폭)
전류 - 피크 출력(소스, 싱크)::
2.5A, 2.5A
소개
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태그:
집적 회로 ICs
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