UCC5310MCDR
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제조 업체:
텍사스 인스트루먼트
설명:
DGTL ISO 3KV 1CH 게이트 DRVR 8SOIC
분류:
집적 회로 ICs
사양
상품 카테고리 ::
게이트 드라이버
상승/하강 시간(일반)::
12 나노 초, 10 나노 초
전압 - 공급 ::
13.2V ~ 33V
@ qty ::
0
증가하는 타입 ::
표면 마운트
전류 - DC 순방향(If)(최대)::
-
제조사::
텍사스 인스트루먼트
최소 수량 ::
2500
Factory Stock ::
0
작동 온도 ::
-40' Ｃ ~ 125' Ｃ
전류 - 피크 출력::
4.3A
공통 모드 과도 내성(최소)::
100kV/us
전압 - 차단 ::
3000Vrms
공급자 소자 패키지 ::
8-SOIC
펄스 폭 왜곡(최대)::
20 나노 초
상태 부분 ::
액티브
전류 - 출력 높음, 낮음::
2.4A, 1.1A
포장::
테이프 & ; 릴 (TR)
채널 수 ::
1
전압 - 순방향(Vf)(일반)::
-
전파 지연 tpLH/tpHL(최대)::
75 나노 초, 75 나노 초
패키지 / 케이스::
8-soic (0.154" ;3.90 밀리미터 폭)
기술 ::
정전 결합
승인 ::
CQC, CSA, UR, VDE
시리즈 ::
-
소개
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태그:
집적 회로 ICs
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